在FO-WLP工艺中，重新分配热量的层起着关键作用。即使芯片表面的温度仅有0.3°C的偏差，也足以导致应力变化、模具变形，进而降低产品良率。因此，需要一种能够精确控制温度的加热器——无需猜测，只需准确控制温度即可。
真正重要的其实是内部的机制
我们设计的这种扇出式晶圆级封装加热器，能够实现半导体级的高精度温度控制。其核心部分能够确保基板上各点的温度保持在±0.1°C的范围内，这样，在环氧树脂固化、光刻胶软烘烤及硬烘烤过程中，每个芯片都能处于相同的温度环境中。该加热器适用于从1级到100级的洁净室环境，其表面和材料设计均旨在减少颗粒物的产生。零颗粒物生成并非只是口号而已，而是通过特殊的腔体结构、密封装置以及排气系统来实现的。该系统可以24/7持续运行，且具有出色的重复性；其温度响应速度也经过优化，能够适应快速循环的FO-WLP工艺，同时避免温度过度升高。
事实上，FO-WLP工艺要求各个步骤中的温度控制都必须非常精确——固化、层压，反复进行。有了这种加热器之后，光刻胶的软烘烤过程就能保持在标准范围内，线宽也能保持稳定，而通孔结构则能在硬烘烤过程中保持完好无损。这样一来，就可以实现稳定的成型效果，减少因温度不均匀导致的缺陷，从而降低废品率。此外，由于其低热质量设计，加热器的升温时间较短，同时仍能保持稳定性，因此能耗也相对较低。最终结果是：流程更加稳定，良率更高，因加热器问题导致的停机次数也更少。
在确定规格之前，还有几点需要注意的。这款加热器可以集成到标准的FO-WLP设备中，但您需要确保其尺寸和排气路径与您的机器相匹配。此外，还需要确保洁净室内的电源供应稳定，因为电压波动会导致温度控制失灵。另外，调整PID参数以适应特定基板的特性可能需要一些时间。一旦调整到位，它就能每天保持±0.1°C的精确温度控制。