Beobachten Sie, wie ein Wafer aus der letzten Spülung kommt. Wenn der Trocknungsschritt nicht präzise umgesetzt wird, entstehen Wasserflecken, die Photoresist-Unterlagen beginnen sich abzulösen, und der Ertrag leidet. Wir haben unsere Infrarotlampe zur Trocknung von Siliziumwafern entwickelt, um diese Variable auszuschließen.
Was unter der Haube zählt
Sie nutzt kurzwellige Infrarotstrahlung, um Energie direkt in den Film und das Substrat einzubringen. Über die gesamten Backzone hinweg liegt die Wafer-Uniformität bei ±0,1°C, sodass die relevanten Temperaturen – Softbake, Hardbake und Postbake – von Lauf zu Lauf reproduzierbar bleiben.
Sie ist für Reinräume von Klasse 1 bis Klasse 100 geeignet. Die Quarzhülle und die armaturen mit geringer Ausgasung verhindern einen Anstieg der Partikelzahl. Die Leistung bleibt über 5.000+ Stunden stabil, mit weniger als 5 % Intensitätsdrift, was einen 24/7-Betrieb ermöglicht.
Warum sie für die Fertigung geeignet ist
In der Lithografie ist das thermische Budget für die Photoresist-Verarbeitung eng. Diese Lampe erreicht die Zieltemperatur in Sekunden, und die Einregelzeit ist kurz – das verkürzt die Zykluszeit ohne Einbußen bei der Profilkontrolle.
Im Packaging beschleunigt dieselbe Energiedichte die Aushärtung von Encapsulant und Underfill, was die Ofenbelastung reduziert und Wartezeiten verkürzt. Für 清洗干燥 (Reinigung und Trocknung) entfernt die Infrarotenergie Restfeuchtigkeit aus Mikrostrukturen, wodurch die Oberfläche trocken und rückstandsfrei bleibt.
Der Nutzen zeigt sich in weniger Nacharbeiten, konstanten Linienbreiten und zuverlässiger Haftung.
Was Sie richtig einstellen müssen
Die Installation erfordert die Anpassung der Lampe an Ihre Maschine – Spannung, Anschluss und optische Apertur. Die Reflexionsgeometrie muss so eingestellt werden, dass keine Hotspots auf strukturierten Wafern entstehen.
Planen Sie eine saubere Handhabung ein und legen Sie Intervalle für Intensitätskalibrierungen fest, um die Uniformität über lange Kampagnen hinweg stabil zu halten. Wenn die Ausrichtung stimmt, bleibt der Prozess mit minimalem Nachjustierungsaufwand im Spec.