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		<title>Fuera on Infrared Heating Lamp Sets</title>
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				<title>Calentador de envasado a nivel de oblea _con dispersión radial</title>
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				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heat-sets.com/images/1764273a9805a56244015746cb190d47.png&#34; alt=&#34;Calentador de envasado a nivel de oblea _con dispersión radial&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;En la línea FO-WLP, la capa de redistribución es el elemento clave para mantener el control térmico. Incluso un cambio de temperatura de 0.3°C en toda la superficie del chip puede causar estrés, deformación del molde y disminución de la productividad. Se necesita un calentador que controle eficazmente el régimen térmico; no hay lugar para conjeturas.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Lo que realmente importa&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Hemos diseñado este calentador a nivel de oblea para lograr un control preciso en procesos relacionados con semiconductores. El núcleo del calentador mantiene una uniformidad térmica de ±0.1°C en toda la superficie del sustrato, de modo que cada chip recibe el mismo perfil térmico durante los procesos de curado del compuesto Epóxido, así como durante los procesos de secado del fotopolímero. La zona caliente es compatible con entornos de sala limpia, desde Clase 1 hasta Clase 100. Las superficies y materiales utilizados están seleccionados para reducir al mínimo la cantidad de partículas presentes. La ausencia total de partículas no es solo un objetivo teórico: está integrada en la geometría de la cámara, en sus sellos y en su sistema de extracción de aire. El sistema funciona las 24 horas del día, con alta repetibilidad, y su respuesta térmica está ajustada para adaptarse a ciclos &lt;a href=&#34;https://henruite.com&#34;&gt;cortos&lt;/a&gt; de procesamiento FO-WLP, sin exceder los límites permitidos.&lt;/p&gt;</description>
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