Wafer on Infrared Heating Lamp Sets

Präziser IR Sensor für Wafern

Mon, 27 Jul 2026 08:19:16 +0800

Warum wir jeden einzelnen IR-Sensor auf seine Belastbarkeit prüfen
Beim Umgang mit Silizium sind die Risiken extrem hoch. Ein kleiner elektrischer Leck? Das bedeutet das Ende der ganzen Charge – sie ist dann unbrauchbar. Deshalb führen wir keine „Stichprobenprüfungen“ durch. Wir überprüfen nicht nur alle zehnten Sensoren und hoffen auf das Beste. Stattdessen unterziehen wir jeden einzelnen Sensor vor dem Verlassen unseres Labors einer Prüfung auf Hochspannung sowie auf die Isolationsfestigkeit.

Absichtliches Beschädigen der Sensoren
Wir bringen die Isolierung absichtlich an ihre Grenzen. So können wir die Schwachstellen erkennen. Indem wir die Spannung auf Werte erhöhen, die in der normalen Betriebsweise niemals erreicht werden, zwingen wir die versteckten Defekte zum Vorschein. Wir suchen nach Dingen, die man nicht sehen kann – wie mikroskopisch kleine Luftblasen im Epoxid oder feine Risse im Keramikmaterial. Wenn es zu einem Kurzschluss kommen soll, dann soll das hier passieren. Ich würde lieber einen Sensor in meinem Labor zerstören, als dass er in Ihrer Vakuumkammer einen Kurzschluss verursacht.

Energieeffizienter Waferheizer

Fri, 10 Jul 2026 12:57:22 +0800

Reduzierung des Kohlenstoffausstoßes in den Fertigungshallen: Warum Infrarotheizung tatsächlich funktioniert
Jede Fertigungshalle steht derzeit unter großem Druck, die Ziele der Kohlenstoffneutralität zu erreichen. Das ist eine enorme Belastung. Ein großer Teil des Problems liegt in verschwendeter Energie – insbesondere während des Erwärmens und Aushärtens der Wafer.

Die meisten von uns verwenden immer noch herkömmliche Widerstandsheizungen. Doch in Wirklichkeit sind diese ineffizient. Wir wechseln daher auf Kurzwellen-Infrarotlampen – schließlich funktionieren diese anders. Anstatt die gesamte Luft im Raum zu erhitzen, strahlen sie direkt auf die Waferoberfläche.

Sicherheitsabstand bei der Waferverhitzung

Thu, 09 Jul 2026 05:10:43 +0800

Lassen Sie uns darüber sprechen, was eigentlich in einer Halbleiterproduktionsanlage mit hohem Arbeitsaufkommen passiert.
Ein defekter Lampenstrahl bedeutet nicht nur Stillstand – es handelt sich dabei auch um eine Kontamination der Wafer. Dadurch gehen Gelder verloren. Wir haben unsere Infrarot-Halogenlampe entwickelt, um dieses Problem von Anfang an zu verhindern.

Es geht hier nicht um rohe Gewalt, sondern um intelligente Lösungen bezüglich des Sicherheitsabstands sowie einer kontrollierten Wärmeabgabe.

Leistung, Spannung und Geometrie – warum das wichtig ist

Wir betreiben die Lampe bei 400 V – nicht, weil das eine festgelegte Zahl ist, sondern damit die Leistung über größere Entfernungen stabil bleibt. Eine höhere Spannung führt bei derselben Leistung zu geringerem Stromfluss. Dadurch werden die Widerstandseinbußen in den Leitungen verringert und der Quarzkörper bleibt kühler.

Reflektor für Wafer Aushärtungslampe

Thu, 09 Jul 2026 05:04:57 +0800

Wir haben diesen Reflektor für Lampen zur Aushärtung von Halbleiterwafern entwickelt – um ein echtes Problem in der Produktion zu lösen: Wie kann man maximale Wärmeenergie auf den Wafer übertragen, ohne dass die gesamte Maschine zu einer Art Schmelzofen wird? Die Idee ist einfach: Die Wärme muss genau dorthin gelenkt werden, wo sie benötigt wird.

Leistung, Spannung und Geometrie: Das wahre Trio
Beim Infrarot-Aushärten geht es um Geschwindigkeit und Präzision. Wir optimieren das Lampensystem so, dass möglichst viel Energie an einem bestimmten Punkt konzentriert wird. Die Spannung und Leistung werden so gewählt, dass die gewünschte Temperatur schnell erreicht wird – dadurch wird die Bearbeitungszeit verkürzt und die Effizienz erhöht. Zudem passt die physische Länge des Reflektors zum Prozessablauf – dadurch wird die Wärme nur auf den Wafer abgegeben und bleibt dort. Es handelt sich dabei um ein Gleichgewichtsproblem. Wenn so viel Wärme erzeugt wird, muss das Kühlsystem der Maschine dem standhalten – sonst steigt die Umgebungstemperatur an.

Temperatursensor für Wafer Werkzeuge

Fri, 03 Jul 2026 08:19:14 +0800

Auf der Fertigungsstraße ist man mit solchen Situationen vertraut: Schon eine Abweichung von einer halben Grad in der Backtemperatur kann dazu führen, dass die kritischen Abmessungen um Nanometer verändert werden – und das bedeutet Schrott. Die Temperatursensoren für die Wafer sind keine zusätzlichen Komponenten; sie bestimmen vielmehr den thermischen Rahmen für die Lithografieprozesse, die Behandlung des Fotolacks sowie die Reinigung der Wafer. Wenn die Temperaturungleichmäßigkeiten groß sind, sinkt die Produktivität.

Wir haben diese Sensoren so konstruiert, dass sie eine Temperaturgleichmäßigkeit auf Wafer-Ebene von ±0,1 °C gewährleisten – mit schneller Reaktionszeit und wiederholbarer Messgenauigkeit. Das Sensorelement befindet sich in einer für saubere Räume geeigneten Hülle, die den Anforderungen der Klasse 1–100 entspricht. Die verwendeten Materialien werden so ausgewählt, dass keine Gase entweichen und keine Partikel entstehen. Die Ausgabe des Sensors bleibt 24/7 stabil, was zu keiner unplanmäßigen Stillstandszeit führt. Zudem wird die Kalibrierung über Tausende von Zyklen hinweg aufrechterhalten.

DNS (Screen) Wafer Trocknungslampe

Sat, 27 Jun 2026 04:35:31 +0800

Bei der Fotolackverarbeitung lässt der Fotolack keine Abweichungen zu. Selbst eine leichte Ungenauigkeit bei der Erhitzung führt dazu, dass die Kontrolle über die CD-Qualität beeinträchtigt wird – man muss dann nach Fehlern im gesamten Produktionsprozess suchen. Wir haben daher eine spezielle Lampe entwickelt, die diese Unregelmäßigkeiten ausgleicht.

Was wirklich wichtig ist:
Es wird eine Temperaturhomogenität von ±0,1 °C auf der gesamten Fläche des Wafers erreicht – somit erhält jedes Bearbeitungsfeld denselben thermischen Zustand. Die Kompatibilität mit Reinräumen ist selbstverständlich – Räume der Klasse 1–100 bleiben frei von Partikeln, da die Anlage während des Aufheizvorgangs keine Partikel freisetzt. Das Kurzwellinfrarotlicht heizt das Substrat direkt, wodurch eine schnelle Aufwärmzeit entsteht und der Energieverbrauch sinkt. Der in Quarz eingeschlossene Strahler hält die gewünschten Temperaturen konstant, und der Regelkreis sorgt dafür, dass die Einstellungen von Schicht zu Schicht konstant bleiben.

Heizer für das Wafer Level Packaging

Wed, 17 Jun 2026 15:29:19 +0800

In der FO-WLP-Technologie ist die Verteilerschicht entscheidend für die Funktionsfähigkeit des Systems. Schon eine Temperaturänderung von 0,3 °C kann zu Stress im Produkt führen, dazu kommt eine Verformung des Formlings – was wiederum die Qualität beeinträchtigt. Man benötigt daher einen Heizer, der das thermische Gleichgewicht kontrolliert – ohne Spekulationen.

Was wirklich wichtig ist
Wir haben diesen Heizer für die Verpackung von Halbleiterbauelementen entwickelt. Der Kern sorgt dafür, dass die Temperatur auf dem Substrat bei ±0,1 °C konstant bleibt. Dadurch erhalten alle Bauelemente während des Aushärtungsprozesses sowie während der Bearbeitung mit Fotoresist denselben thermischen Zustand. Die Heizzone ist für Reinräume der Klassen 1 bis 100 geeignet – die Oberflächen und Materialien wurden so gewählt, dass die Anzahl an Partikeln möglichst gering bleibt. Eine Null-Partikel-Produktion ist keine bloße Behauptung – sie wird durch die Geometrie der Kammer, die Dichtungen sowie die Abgaswege gewährleistet. Das System arbeitet 24/7 mit hoher Wiederholgenauigkeit – die thermische Reaktion wird so eingestellt, dass keine Überschreitungen auftreten.

Ausrüstung für Fertigungsanlagen von Wafern

Sun, 07 Jun 2026 03:38:59 +0800

On the fab floor ist ein Photoresist-Backprozess nicht nur ein Temperaturschritt. Es ist eine Toleranz.
Eine Abweichung von 2°C verschiebt den kritischen Dimensions-Bias, und eine Handvoll Partikel ruiniert viele gute Die. Es wird eine thermische Kontrolle benötigt, die sich wie ein tatsächlicher Prozessparameter verhält und nicht als nachträglicher Gedanke an das Werkzeug angebracht ist.

Was unter der Haube zählt

Wir bauen waferbasierte thermische Systeme mit Fokus auf reproduzierbare Gleichmäßigkeit und saubere Ausführung. Halogen- und NIR-Heizarchitekturen gewährleisten eine enge Kontrolle über die Waferebene und halten ±0,1°C über dem Film während Soft Bake und Hard Bake.
Quarzkomponenten und kohlefaserverstärkte Baugruppen reduzieren Ausgasung und halten die Geometrie der Heißzone stabil. Das führt zu einer konsistenten Aktivierung der Photoresist-Chemie – vorhersehbare Kantenwulstkontrolle, stabiler Glasübergang und reproduzierbare Ätzselektivität.
Regelkreise sind auf schnelles Einpendeln mit minimalem Überschwingen ausgelegt, damit das thermische Budget im gesamten Los nicht überbeansprucht wird.

Individueller Infrarotheizer für Wafer

Thu, 04 Jun 2026 03:20:22 +0800

Out on the litho floor, a 0.5°C drift in the photoresist bake isn’t a “small error.” It’s a scrapped wafer, a mask layer down the drain, and a schedule that slips. Thermal budgets at wafer level are exacting, and repeatability isn’t optional. That’s why we built a custom infrared heater for wafer processing around that reality—because protecting yield starts with temperature control you can measure, not cross your fingers over.
What matters under the hood
Die Einheit hält eine Gleichmäßigkeit von ±0,1°C im stationären Betrieb über das Wafer hinweg, indem ein kurzwelliger Infrarotstrahler verwendet wird, der auf das Absorptionsprofil von Photoresist und Substrat abgestimmt ist. Der Heizer ist für Reinraumklassen 1–100 ausgelegt: Quarzkomponenten und eine partikelkontrollierte Montage. Während der Backzyklen entsteht keine Partikelbildung, was durch in-situ Partikelmessung nachgewiesen wird. Die Regelstrecke erholt sich schnell – innerhalb von Sekunden nach Türöffnungen – und die Temperaturwiederholgenauigkeit bleibt über Lose, Schichten und Anlagen hinweg stabil.
Why it behaves in production
Beim Softbake und Hardbake zeigt sich der Effekt sofort: engere Kontrolle der kritischen Dimensionen, bessere Profilsymmetrie und weniger Nacharbeit. Das reinraumkompatible Design verhindert Kontaminationen im Prozessraum, was zur Stabilität der Ausbeute bei fortgeschrittenen Technologieknoten beiträgt. Der Energieverbrauch ist dank des Infrarotspektrums und der niedrigen thermischen Masse geringer – geringere Betriebskosten bei gleichbleibenden Anfahrzeiten. Die Einheit lässt sich problemlos in bestehende Track-Systeme mit standardisierten mechanischen und elektrischen Schnittstellen integrieren, sodass keine erneute Qualifizierung der gesamten Linie erforderlich ist.
What you need to get right
Die Installation hängt maßgeblich vom Abluftweg und der Schirmausrichtung ab – Fehler hier führen zu Verlust der Gleichmäßigkeit und Partikelperformance. Der Heizer ist empfindlich gegenüber der Sauberkeit der Reflektoren, deshalb sollte das empfohlene preventive Wartungsintervall eingehalten werden, um Emissionsgrad und Temperaturverteilung konstant zu halten. In Kombination mit dem passenden Backrezept reduziert die Einheit thermische Schwankungen und ermöglicht engere Prozessfenster, Schicht für Schicht.

Infrarotlampe zur Trocknung von Siliziumwafern

Wed, 03 Jun 2026 12:12:13 +0800

Beobachten Sie, wie ein Wafer aus der letzten Spülung kommt. Wenn der Trocknungsschritt nicht präzise umgesetzt wird, entstehen Wasserflecken, die Photoresist-Unterlagen beginnen sich abzulösen, und der Ertrag leidet. Wir haben unsere Infrarotlampe zur Trocknung von Siliziumwafern entwickelt, um diese Variable auszuschließen.
Was unter der Haube zählt
Sie nutzt kurzwellige Infrarotstrahlung, um Energie direkt in den Film und das Substrat einzubringen. Über die gesamten Backzone hinweg liegt die Wafer-Uniformität bei ±0,1°C, sodass die relevanten Temperaturen – Softbake, Hardbake und Postbake – von Lauf zu Lauf reproduzierbar bleiben.
Sie ist für Reinräume von Klasse 1 bis Klasse 100 geeignet. Die Quarzhülle und die armaturen mit geringer Ausgasung verhindern einen Anstieg der Partikelzahl. Die Leistung bleibt über 5.000+ Stunden stabil, mit weniger als 5 % Intensitätsdrift, was einen 24/7-Betrieb ermöglicht.
Warum sie für die Fertigung geeignet ist
In der Lithografie ist das thermische Budget für die Photoresist-Verarbeitung eng. Diese Lampe erreicht die Zieltemperatur in Sekunden, und die Einregelzeit ist kurz – das verkürzt die Zykluszeit ohne Einbußen bei der Profilkontrolle.
Im Packaging beschleunigt dieselbe Energiedichte die Aushärtung von Encapsulant und Underfill, was die Ofenbelastung reduziert und Wartezeiten verkürzt. Für 清洗干燥 (Reinigung und Trocknung) entfernt die Infrarotenergie Restfeuchtigkeit aus Mikrostrukturen, wodurch die Oberfläche trocken und rückstandsfrei bleibt.
Der Nutzen zeigt sich in weniger Nacharbeiten, konstanten Linienbreiten und zuverlässiger Haftung.
Was Sie richtig einstellen müssen
Die Installation erfordert die Anpassung der Lampe an Ihre Maschine – Spannung, Anschluss und optische Apertur. Die Reflexionsgeometrie muss so eingestellt werden, dass keine Hotspots auf strukturierten Wafern entstehen.
Planen Sie eine saubere Handhabung ein und legen Sie Intervalle für Intensitätskalibrierungen fest, um die Uniformität über lange Kampagnen hinweg stabil zu halten. Wenn die Ausrichtung stimmt, bleibt der Prozess mit minimalem Nachjustierungsaufwand im Spec.